IPD50N06S2-14
Infineon Technologies
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 80µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3-11 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.4mOhm @ 32A, 10V |
Verlustleistung (max) | 136W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1485 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
IPD50N06S2-14 Einzelheiten PDF [English] | IPD50N06S2-14 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
INFINEON TO-252
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Zielpreis (USD)
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