Name: Infineon Technologies IPD30N06S3L-20
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD30N06S3L-20
Availability: InStock
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Infineon Technologies IPD30N06S3L-20

Artikelnummer:

IPD30N06S3L-20

Hersteller / Marke:

Infineon Technologies

Teil der Beschreibung.:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Datenblätte:

None

RoHs Status:

ECAD -Modell:

Zahlungsmittel:

PayPal / Credit Card / T/T

Versandweg:

DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

Aktie:

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~Infineon Technologies IPD30N06S3L-20 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPD30N06S3L-20.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2.2V @ 20µA
Vgs (Max)	±16V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PG-TO252-3-11
Serie	OptiMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 17A, 10V
Verlustleistung (max)	45W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket	Bulk
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	30A (Tc)
IPD30N06S3L-20 Einzelheiten PDF [English]	IPD30N06S3L-20 PDF - EN.pdf

Rückgabe -Richtlinien

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- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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