IPD230N06LG
Infineon Technologies
Deutsch
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 49µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 30A, 10V |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Bulk |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 30 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 30A (Tc) |
IPD230N06LG Einzelheiten PDF [English] | IPD230N06LG PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
INFINEON TO-252
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MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
INFINEON TO-252
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPD230N06LGInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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