IPB80R290C3A
Infineon Technologies
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
Serie | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 11A, 10V |
Verlustleistung (max) | 227W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2300 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 17A (Tc) |
IPB80R290C3A Einzelheiten PDF [English] | IPB80R290C3A PDF - EN.pdf |
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
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IPB80P04P4L-08 INFINEON
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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