IPB080N03LG
Infineon Technologies
Deutsch
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
Serie | OptiMOS™3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 47W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A |
IPB080N03LG Einzelheiten PDF [English] | IPB080N03LG PDF - EN.pdf |
IPB081N06L3 G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
INFINEON TO-263
MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
INFINEON P-TO263-3-2
N-CHANNEL POWER MOSFET
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPB080N03LGInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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