IPB023N04NG
Infineon Technologies
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 95µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
Serie | OptiMOS™3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 90A, 10V |
Verlustleistung (max) | 167W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10000 pF @ 20 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 90A (Tc) |
IPB023N04NG Einzelheiten PDF [English] | IPB023N04NG PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
TRENCH <= 40V
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IPB024N08N5 INFINEON
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
INFINEON TO-263-7L
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPB023N04NGInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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