IPA60R180C7
Infineon Technologies
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 260µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-3-111 |
Serie | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5.3A, 10V |
Verlustleistung (max) | 29W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 400 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) |
IPA60R180C7 Einzelheiten PDF [English] | IPA60R180C7 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
IPA60R190C6=6R190C6 INFINEON
MOSFET N-CH 600V 20A TO220
INFINEON TO-220F
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP
MOSFET N-CH 600V 21A TO220-FP
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
INFINEON TO-220F
INFINEON TO-220F
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPA60R180C7Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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