IDT08S60C
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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98+ | $3.08 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-2 |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 0 ns |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-2 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 100 µA @ 600 V |
Strom - Richt (Io) | 8A |
Kapazität @ Vr, F | 310pF @ 1V, 1MHz |
IDT08S60C Einzelheiten PDF [English] | IDT08S60C PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IDT08S60CInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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