IDB18E120
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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265+ | $1.14 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.15 V @ 18 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 1200 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 195 ns |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 100 µA @ 1200 V |
Strom - Richt (Io) | 31A |
Kapazität @ Vr, F | - |
IDB18E120 Einzelheiten PDF [English] | IDB18E120 PDF - EN.pdf |
INFINEON TO-263
INFINEON TO-263
DIODE GP 1.2KV 28A TO263-3-2
DIODE GP 1.2KV 50A TO263-3-2
DIODE GP 600V 41A TO263-3-2
DIODE GP 600V 52.3A TO263-3-2
DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3
DIODE GP 600V 19.3A TO263-3-2
DIODE SIL CARB 600V 10A TO263-3
DIODE GP 600V 29.2A TO263-3-2
DIODE SIL CARB 600V 10A TO263-3
DIODE 600V 71A TO263-3-2
DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3
DIODE GP 600V 29.2A TO263-3-2
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IDB18E120Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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