HGTD7N60C3S
Harris Corporation
Deutsch
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 7A |
Testbedingung | - |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | - |
Schaltenergie | - |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | - |
Leistung - max | 60 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | - |
Gate-Ladung | 23 nC |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 56 A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 14 A |
HGTD7N60C3S Einzelheiten PDF [English] | HGTD7N60C3S PDF - EN.pdf |
IGBT 1200V 43A 298W TO247
N-CHANNEL IGBT
N-CHANNEL IGBT
IGBT 600V 6A 33W TO252AA
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
IGBT 600V 14A TO252AA
HGTG10N120BN FAIRCHILD
IGBT 1200V 35A 298W TO247
IGBT NPT 1200V 35A TO247-3
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HGTD7N60C3SHarris Corporation |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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