HERAF1007G
Taiwan Semiconductor Corporation
Deutsch
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 800 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | ITO-220AC |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 80 ns |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-2 Full Pack |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tube |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 800 V |
Strom - Richt (Io) | 10A |
Kapazität @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
HERAF1007G Einzelheiten PDF [English] | HERAF1007G PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 200V 16A ITO220AC
DIODE GEN PURP 10A ITO220AC
DIODE GEN PURP 50V 10A ITO220AC
DIODE GEN PURP 100V 10A ITO220AC
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DIODE GEN PURP 8A TO220AC
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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