MURT40060
GeneSiC Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | MURT40060 |
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Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 200 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | Three Tower |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 240 ns |
Verpackung / Gehäuse | Three Tower |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Bulk |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 25 µA @ 50 V |
Strom - Richt (Io) (pro Diode) | 200A |
MURT40060 Einzelheiten PDF [English] | MURT40060 PDF - EN.pdf |
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Zielpreis (USD)
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