1N8034-GA
GeneSiC Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | 1N8034-GA |
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Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | DIODE SIL CARB 650V 9.4A TO257 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.34 V @ 10 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 650 V |
Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Supplier Device-Gehäuse | TO-257 |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 0 ns |
Verpackung / Gehäuse | TO-257-3 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tube |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 250°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 650 V |
Strom - Richt (Io) | 9.4A |
Kapazität @ Vr, F | 1107pF @ 1V, 1MHz |
Grundproduktnummer | 1N8034 |
1N8034-GA Einzelheiten PDF [English] | 1N8034-GA PDF - EN.pdf |
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2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() 1N8034-GAGeneSiC Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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