HUF75829D3
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | HUF75829D3 |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 150V 18A IPAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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567+ | $0.53 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | I-PAK |
Serie | UltraFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 18A, 10V |
Verlustleistung (max) | 110W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 20 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
HUF75829D3 Einzelheiten PDF [English] | HUF75829D3 PDF - EN.pdf |
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