FQI7N10LTU
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FQI7N10LTU |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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951+ | $0.32 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | I2PAK (TO-262) |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 3.65A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.75W (Ta), 40W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7.3A (Tc) |
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2024/06/6
2024/04/18
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2023/12/20
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Zielpreis (USD)
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