FDB2710
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FDB2710 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D2PAK (TO-263) |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42.5mOhm @ 25A, 10V |
Verlustleistung (max) | 260W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7280 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 101 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
FDB2710 Einzelheiten PDF [English] | FDB2710 PDF - EN.pdf |
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
FAIRCHILD TO-263
FDB33N25 Original
FAIRCHILD SOT-263
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB
ON TO-263
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDB2710Fairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|