FCB11N60TM
Fairchild/ON Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FCB11N60TM |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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800+ | $2.0744 |
1600+ | $1.7495 |
2400+ | $1.662 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263AB) |
Serie | SuperFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 5.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 125W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1490pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
FCB11N60TM Einzelheiten PDF [English] | FCB11N60TM PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
FCB11N60F FAIRCHILD
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
20X26X26MM ONE-WAY BEARING
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FCB11N60TMFairchild/ON Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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