FS100R07N2E4
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | - |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Testbedingung | - |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | - |
Schaltenergie | - |
Supplier Device-Gehäuse | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | - |
Leistung - max | - |
Verpackung / Gehäuse | - |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | - |
Eingabetyp | - |
IGBT-Typ | - |
Gate-Ladung | - |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | - |
FS100R07N2E4 Einzelheiten PDF [English] | FS100R07N2E4 PDF - EN.pdf |
IGBT, 100A, 650V, N-CHANNEL
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FS100R07 - IGBT MODULE
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FS100R07N2E4Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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