FQB70N10TM
Fairchild Semiconductor
Deutsch
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D2PAK (TO-263) |
Serie | QFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 28.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.75W (Ta), 160W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3300 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 57A (Tc) |
FQB70N10TM Einzelheiten PDF [English] | FQB70N10TM PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FQB70N10TMFairchild Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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