FP50R07N2E4_B11
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
5+ | $71.39 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 50A |
Supplier Device-Gehäuse | AG-ECONO2B |
Serie | EconoPIM™2 |
Leistung - max | 20 mW |
Verpackung / Gehäuse | Module |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
NTC-Thermistor | Yes |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Chassis Mount |
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE | 3.1 nF @ 25 V |
Eingang | Three Phase Bridge Rectifier |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 70 A |
Konfiguration | Three Phase Inverter |
FP50R07N2E4_B11 Einzelheiten PDF [English] | FP50R07N2E4_B11 PDF - EN.pdf |
IGBT MODULE 600V 65A 175W
IGBT MODULE 650V 75A 230W
IGBT MOD 1200V 70A 360W
IGBT MODULE 600V 65A 175W
IGBT Modules
IGBT MODULE 650V 70A
IGBT MODULE 650V 70A
IGBT MOD 1200V 75A 280W
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FP50R07N2E4_B11Infineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|