FDN363N
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1664+ | $0.18 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SuperSOT™-3 |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 1A, 10V |
Verlustleistung (max) | 500mW (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1A (Tc) |
FDN363N Einzelheiten PDF [English] | FDN363N PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
2.5A, 20V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL,
MOSFET N-CH 20V 2.5A SUPERSOT3
ON SOT-23
FAIRCHILD SOT-23
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FAIRCHILD SOT23-3
FAIRCHILD SOT-23
MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
ON SOT-23
FAIRCHILD SOT-23
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDN363NFairchild Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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