FDMS7606
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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307+ | $0.98 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | Power56 |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 11.5A, 10V |
Leistung - max | 1W |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerWDFN |
Paket | Bulk |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11.5A, 12A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | FDMS76 |
FDMS7606 Einzelheiten PDF [English] | FDMS7606 PDF - EN.pdf |
MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
MOSFET 2N-CH 30V POWER56
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/12A PWR56
MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
FAIRCHILD DFN-856
FAIRCHILD DFN-856
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FAIRCHILD QFN
FAIRCHILD DFN-85X6
MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
MOSFET N-CH 25V 15A/29A 8PQFN
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDMS7606Fairchild Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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