FDD6670S
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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307+ | $0.98 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252, (D-Pak) |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 13.8A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.3W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2010 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 64A (Ta) |
FDD6670S Einzelheiten PDF [English] | FDD6670S PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 30V 65A TO252
MOSFET N-CH 30V 76A TO252
MOSFET N-CH 30V 76A TO252
FAIRCHILD SOT-252
FAIRCHILD TO252
FDD6670AL FDD6670A FAIRCHILD/
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
MOSFET N-CH 30V 65A TO252
MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDD6670SFairchild Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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