FDC658P
Fairchild Semiconductor
Deutsch
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SuperSOT™-6 |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 4A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.6W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 5 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A (Ta) |
IC LOAD SWITCH INT SSOT-6
FDC658P_NL FAIRCHILO
FDC658AP - MOSFET 30V 50.0 MOHM
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
MI SOT23-6
FAIRCHILD SOT-23
FDC6901L-NL FAIRCHLD
IC PWR SWITCH P-CH 1:1 SUPERSOT6
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
FAIRCHILD SOT23-6
FAIRCHILD SOT163
FAIRCHILD SOT23-6
FDC658P-NL FSC
FDC658AP-NL FAIRCHI
MOSFET P-CH 30V 4A SSOT6
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
IC AUDIO JACK DETECTION SUPERSOT
FDC658N FAIRCHILD
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDC658PFairchild Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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