FDB6676
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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386+ | $0.78 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±16V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263AB |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 42A, 10V |
Verlustleistung (max) | 93W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5324 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 84A (Ta) |
FDB6676 Einzelheiten PDF [English] | FDB6676 PDF - EN.pdf |
FDB66N15TM FSC
MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB
FDB6670AL-NL FAIRCHIL
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB
FAIRCHILD TO-263
MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB
FDB6670BL VB
FDB6670A FAIRCHILD
FDB6688 FCS
FDB6676S FSC
FAIRCHILD TO-263
FDB6676S FDB6676 FAIRCHILD/
N-CHANNEL POWER MOSFET
TO-263
FDB6670S-NL FAIRCHI
MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB
FAIRCHI TO-263
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
FAIRCHILD TO-263
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDB6676Fairchild Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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