BFR93AWE6327
Infineon Technologies
Deutsch
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 12V |
Transistor-Typ | NPN |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-323 |
Serie | - |
Leistung - max | 300mW |
Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Gewinnen | 10.5dB ~ 15.5dB |
Frequenz - Übergang | 6GHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 70 @ 30mA, 8V |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 90mA |
BFR93AWE6327 Einzelheiten PDF [English] | BFR93AWE6327 PDF - EN.pdf |
INFINEON 2018+RoHS
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
BFR949F INFINEON
RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT323-3
RF TRANS NPN 12V 5GHZ SOT323-3
BFR93AW H6327 INFINEO
BFR93R PHI
BFR93AW E6587 INFINEON
BFR949FE6327 INFINEON
RF BIPOLAR TRANSISTOR
BFR93AW E6327 INFINEON
NXP SOT323
BFR949F E6327 INF
VISHA SOT323
RF TRANS NPN 12V 5GHZ SOT323-3
BFR93W NXP
BFR93AWE6587 INFINEO
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() BFR93AWE6327Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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