SQM50N04-4M1_GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deutsch
Artikelnummer: | SQM50N04-4M1_GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 50A TO-263 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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800+ | $1.4051 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263 (D²Pak) |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Andere Namen | SQM50N04-4M1-GE3 SQM50N04-4M1-GE3-ND |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6715pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 40V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 50A (Tc) |
SQM50N04-4M1_GE3 Einzelheiten PDF [English] | SQM50N04-4M1_GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 40V 50A TO263
MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263
RES 91K OHM 5% 5W RADIAL
MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263
VISHAY TO263
MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263
RES 91 OHM 5% 5W RADIAL
RES 9.1 OHM 5% 5W RADIAL
RES 9.1K OHM 5% 5W RADIAL
RES 910 OHM 5% 5W RADIAL
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SQM50N04-4M1_GE3Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Zielpreis (USD)
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