SI5856DC-T1-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deutsch
Artikelnummer: | SI5856DC-T1-E3 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 1206-8 ChipFET™ |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.1W (Ta) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead |
Andere Namen | SI5856DC-T1-E3TR |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | Schottky Diode (Isolated) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 20V 4.4A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.4A (Ta) |
SI5856DC-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] | SI5856DC-T1-E3 PDF - EN.pdf |
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
VISHAY SOT23-8
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI5856DC-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|