SI5856DC-T1-E3

Name: Electro-Films (EFI) / Vishay SI5856DC-T1-E3
Brand: Electro-Films (EFI) / Vishay
SKU: SI5856DC-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (971 reviews)

Hersteller-Teilenummer:	SI5856DC-T1-E3
Hersteller / Marke:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8
Datenblätte:	SI5856DC-T1-E3.pdf
RoHs Status:	Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers:	22297 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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ArtikelnummerSI5856DC-T1-E3
HerstellerElectro-Films (EFI) / Vishay
BeschreibungMOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
Teilstatus22297 pcs Stock
VGS (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Vgs (Max)±8V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse1206-8 ChipFET™
SerieTrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs40 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Verlustleistung (max)1.1W (Ta)
VerpackungTape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse8-SMD, Flat Lead
Andere NamenSI5856DC-T1-E3TR
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5nC @ 4.5V
Typ FETN-Channel
FET-MerkmalSchottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)20V
detaillierte BeschreibungN-Channel 20V 4.4A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C4.4A (Ta)
SI5856DC-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]SI5856DC-T1-E3 PDF - EN.pdf

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