SI5481DU-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
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Anschlüsse, Verbindungen
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Electro-Films (EFI) / Vishay SI5481DU-T1-GE3
| Artikelnummer: | SI5481DU-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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Electro-Films (EFI) / Vishay SI5481DU-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI5481DU-T1-GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Vgs (Max) ±8V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PowerPAK® ChipFet Single Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V Verlustleistung (max) 3.1W (Ta), 17.8W (Tc) Verpackung Tape & Reel (TR) Verpackung / Gehäuse PowerPAK® ChipFET™ Single Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Produkteigenschaften Eigenschaften Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1610pF @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 8V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V detaillierte Beschreibung P-Channel 20V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 17.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) SI5481DU-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] SI5481DU-T1-GE3 PDF - EN.pdf -
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