SI5449DC-T1-GE3

Hersteller-Teilenummer:	SI5449DC-T1-GE3
Hersteller / Marke:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Teil der Beschreibung:	MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
Datenblätte:	SI5449DC-T1-GE3.pdf
RoHs Status:	Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers:	2635 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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ArtikelnummerSI5449DC-T1-GE3
HerstellerElectro-Films (EFI) / Vishay
BeschreibungMOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
Teilstatus2635 pcs Stock
VGS (th) (Max) @ Id600mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max)±12V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse1206-8 ChipFET™
SerieTrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs85 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Verlustleistung (max)1.3W (Ta)
VerpackungTape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse8-SMD, Flat Lead
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 4.5V
Typ FETP-Channel
FET-Merkmal-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)30V
detaillierte BeschreibungP-Channel 30V 3.1A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C3.1A (Ta)
SI5449DC-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]SI5449DC-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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