Name: Electro-Films (EFI) / Vishay SI4914BDY-T1-GE3
Brand: Electro-Films (EFI) / Vishay
SKU: SI4914BDY-T1-GE3
Price: 0.7084 USD
Availability: InStock
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Electro-Films (EFI) / Vishay SI4914BDY-T1-GE3

Artikelnummer:

SI4914BDY-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Electro-Films (EFI) / Vishay

Teil der Beschreibung.:

MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

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~~Electro-Films (EFI) / Vishay SI4914BDY-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI4914BDY-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2.7V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 8A, 10V
Leistung - max	2.7W, 3.1W
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen	SI4914BDY-T1-GE3TR SI4914BDYT1GE3
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.5nC @ 4.5V
Typ FET	2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8.4A, 8A 2.7W, 3.1W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8.4A, 8A
Basisteilenummer	SI4914
SI4914BDY-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SI4914BDY-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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