SI1902DL-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deutsch
Artikelnummer: | SI1902DL-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.64 |
10+ | $0.54 |
100+ | $0.4051 |
500+ | $0.2971 |
1000+ | $0.2296 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Supplier Device-Gehäuse | SC-70-6 (SOT-363) |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385 mOhm @ 660mA, 4.5V |
Leistung - max | 270mW |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Andere Namen | SI1902DL-T1-GE3CT |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Hersteller Standard Vorlaufzeit | 33 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
detaillierte Beschreibung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 660mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 660mA |
Basisteilenummer | SI1902 |
SI1902DL-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI1902DL-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
VISHAY
VISHAY 08+
VISHAY SOT23-6
MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
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VISHAY SOT-363
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI1902DL-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Zielpreis (USD)
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