IRFD9120
Harris Corporation
Deutsch
Artikelnummer: | IRFD9120 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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325+ | $0.92 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 4-HVMDIP |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 600mA, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.3W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 1A (Ta) |
IRFD9120 Einzelheiten PDF [English] | IRFD9120 PDF - EN.pdf |
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IRFD9120Harris Corporation |
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Zielpreis (USD)
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