Name: Vishay Siliconix SI7940DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7940DP-T1-GE3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI7940DP-T1-GE3

Artikelnummer:

SI7940DP-T1-GE3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Datenblätte:

1.SI7940DP-T1-GE3.pdf ···: PCN -Obsoleszenz/ EOL
SIL-0632014 16/Apr/2014.pdf

Datenblätter
SI7940DP.pdf

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ROHS3 -konform

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI7940DP-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI7940DP-T1-GE3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	PowerPAK® SO-8 Dual
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Leistung - max	1.4W
Verpackung / Gehäuse	PowerPAK® SO-8 Dual
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7.6A
Konfiguration	2 N-Channel (Dual)
Grundproduktnummer	SI7940
SI7940DP-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]	SI7940DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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