EPC2010
EPC
Deutsch
Artikelnummer: | EPC2010 |
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Hersteller / Marke: | EPC |
Teil der Beschreibung.: | GANFET N-CH 200V 12A DIE |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
Vgs (Max) | +6V, -4V |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Supplier Device-Gehäuse | Die |
Serie | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6A, 5V |
Verlustleistung (max) | - |
Verpackung / Gehäuse | Die |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 12A (Ta) |
Grundproduktnummer | EPC20 |
EPC2010 Einzelheiten PDF [English] | EPC2010 PDF - EN.pdf |
TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
EPC SMD
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
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GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
SENSOR PHOTODIODE 850NM
IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP
IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP
TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() EPC2010EPC |
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Zielpreis (USD)
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