ZXMN6A11DN8TA
Diodes Incorporated
Deutsch
Artikelnummer: | ZXMN6A11DN8TA |
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Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.89 |
10+ | $0.78 |
100+ | $0.5978 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SO |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 2.5A, 10V |
Leistung - max | 1.8W |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.7nC @ 10V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.5A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | ZXMN6 |
ZXMN6A11DN8TA Einzelheiten PDF [English] | ZXMN6A11DN8TA PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() ZXMN6A11DN8TADiodes Incorporated |
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Zielpreis (USD)
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