DMN2016LHAB-7
Diodes Incorporated
Deutsch
Artikelnummer: | DMN2016LHAB-7 |
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Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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3000+ | $0.2238 |
6000+ | $0.2094 |
15000+ | $0.1949 |
30000+ | $0.1848 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | U-DFN2030-6 (Type B) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 4A, 4.5V |
Leistung - max | 1.2W |
Verpackung / Gehäuse | 6-UDFN Exposed Pad |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1550pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7.5A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Grundproduktnummer | DMN2016 |
DMN2016LHAB-7 Einzelheiten PDF [English] | DMN2016LHAB-7 PDF - EN.pdf |
DIODES TSSOP-8
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DMN2015UFDE.TCT SEMTECH
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D TSSOP-8
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MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
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VBSEMI TSSOP-8
MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
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DMN2017UFDE-7 DIODES
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DMN2016LHAB-7Diodes Incorporated |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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