DMN10H100SK3-13
Diodes Incorporated
Deutsch
Artikelnummer: | DMN10H100SK3-13 |
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Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 18A TO252 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.75 |
10+ | $0.658 |
100+ | $0.5047 |
500+ | $0.399 |
1000+ | $0.3192 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252-3 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 3.3A, 10V |
Verlustleistung (max) | 37W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1172 pF @ 50 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25.2 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
Grundproduktnummer | DMN10 |
DMN10H100SK3-13 Einzelheiten PDF [English] | DMN10H100SK3-13 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
DIODES PWRDI
MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
DMN1054UCB4 DIODES
DMN10H170SFDE DIODES
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
MOSFET N-CH 100V 17A TO252
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DMN10H100SK3-13Diodes Incorporated |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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