DTC144EBT2L
Rohm Semiconductor
Deutsch
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased + Diode |
Supplier Device-Gehäuse | VMN3 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Leistung - max | 150 mW |
Verpackung / Gehäuse | SOT-923F |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 250 MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 68 @ 5mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 mA |
Grundproduktnummer | DTC144 |
DTC144EBT2L Einzelheiten PDF [English] | DTC144EBT2L PDF - EN.pdf |
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23
NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3F
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
DTC144E UTC
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
Interface
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DTC144EBT2LRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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