DTC114ECA-F2-0000HF
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.28 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased + Diode |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-23 |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Leistung - max | 200 mW |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 250 MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 5mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 mA |
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
DIGITAL TRANSISTOR NPN 50V 0.1A
ROHM SOT-323
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23
SOT-523 NPN 0.15W 0.1A Transist
ROHM SOT523
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
ROHM SOT-523
TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DTC114ECA-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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