DMP2004TK
Diodes Incorporated
Deutsch
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-523 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 230mW (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-523 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 47 pF @ 16 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.97 nC @ 8 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 430mA (Ta) |
DMP2004TK Einzelheiten PDF [English] | DMP2004TK PDF - EN.pdf |
DMP2004DWK DIODES
MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT-26
DIODES SOT-23
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333
MOSFET 2P-CH 20V 0.53A SOT-563
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI3333
DIODES SOT-523
MOSFET P-CH 20V 430MA SOT523
MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
DIODES SOT-363
DIODES SOT363
MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-363
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DMP2004TKDiodes Incorporated |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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