DMN3029LFG-13
Diodes Incorporated
Deutsch
Artikelnummer: | DMN3029LFG-13 |
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Hersteller / Marke: | Diodes Incorporated |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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3000+ | $0.1514 |
6000+ | $0.1417 |
15000+ | $0.1319 |
30000+ | $0.1251 |
75000+ | $0.1221 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | POWERDI3333-8 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.6mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 580 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.3 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.3A (Ta) |
Grundproduktnummer | DMN3029 |
DMN3029LFG-13 Einzelheiten PDF [English] | DMN3029LFG-13 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
DIODES POWERDI3333-8
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
DIODES SOT163
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
DMN3027LFG DIODES
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
DIODES SOP-8
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DMN3029LFG-13Diodes Incorporated |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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