CYDD18S36V18-200BBXC
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | CYDD18S36V18-200BBXC |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | - |
Spannungsversorgung | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
Technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous |
Supplier Device-Gehäuse | 256-FBGA (17x17) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 256-LBGA |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 18Mbit |
Speicherorganisation | 256K x 36 x 2 (DDR) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | SRAM |
Uhrfrequenz | 200 MHz |
Grundproduktnummer | CYDD |
Zugriffszeit | 500 ps |
CYDD18S36V18-200BBXC Einzelheiten PDF [English] | CYDD18S36V18-200BBXC PDF - EN.pdf |
IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
DEVELOPMENT KIT
IC SRAM 128K PARALLEL 100TQFP
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP
IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP
IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
DIN TERM BLK, SCREW, DBL LEVEL
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() CYDD18S36V18-200BBXCInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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