C3M0120090J-TR
Cree/Wolfspeed
Deutsch
Artikelnummer: | C3M0120090J-TR |
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Hersteller / Marke: | Cree LED |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 900V 22A |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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800+ | $6.20 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
Vgs (Max) | +18V, -8V |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Supplier Device-Gehäuse | D2PAK-7 |
Serie | C3M™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155 mOhm @ 15A, 15V |
Verlustleistung (max) | 83W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 600V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.3nC @ 15V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 900V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 22A (Tc) |
C3M0120090J-TR Einzelheiten PDF [English] | C3M0120090J-TR PDF - EN.pdf |
900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
SIC, MOSFET, 120M, 650V, TO-263-
650V 120M SIC MOSFET
SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
MOSFET N-CH 900V 22A
SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
MOSFET N-CH 900V 11.5A
650V 120M SIC MOSFET
SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
650V 120M SIC MOSFET
SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() C3M0120090J-TRCree/Wolfspeed |
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Zielpreis (USD)
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