NSBA114YF3T5G
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | NSBA114YF3T5G |
---|---|
Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
8000+ | $0.0598 |
16000+ | $0.0508 |
24000+ | $0.0478 |
56000+ | $0.0448 |
200000+ | $0.0389 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-1123 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Leistung - max | 254 mW |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Verpackung / Gehäuse | SOT-1123 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Befestigungsart | Surface Mount |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 80 @ 5mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 mA |
Grundproduktnummer | NSBA114 |
NSBA114YF3T5G Einzelheiten PDF [English] | NSBA114YF3T5G PDF - EN.pdf |
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
NSBA115EDXV6 - DIGITAL BJT 2 PNP
NSBA114YF3 - DIGITAL BJT NPN - P
NSBA115TF3 - DIGITAL BJT NPN - P
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
NSBA114YDP6 - DIGITAL BJT 2 PNP
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
NSBA114TDXV6 - DIGITAL BJT 2 PNP
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
NSBA114YDXV6 - DIGITAL BJT 2 PNP
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
NSBA115TDP6 - DIGITAL BJT 2 PNP
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS BRT DUAL PNP 50V SOT-563
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() NSBA114YF3T5Gonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|