Name: Vishay Siliconix SI4398DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4398DY-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI4398DY-T1-E3

Artikelnummer:

SI4398DY-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 20V 19A 8SO

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI4398DY-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI4398DY-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (max)	1.6W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5620 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50 nC @ 4.5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	19A (Ta)
Grundproduktnummer	SI4398
SI4398DY-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI4398DY-T1-E3 PDF - EN.pdf

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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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