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Infineon Technologies IRG8CH106K10F
| Artikelnummer: | IRG8CH106K10F |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 1200V 110A DIE |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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| Aktie: |
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Infineon Technologies IRG8CH106K10F Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRG8CH106K10F.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200 V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 110A Testbedingung 600V, 110A, 1Ohm, 15V Td (ein / aus) bei 25 ° C 80ns/380ns Schaltenergie - Supplier Device-Gehäuse Die Serie - Verpackung / Gehäuse Die Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Bulk Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Eingabetyp Standard IGBT-Typ - Gate-Ladung 700 nC Grundproduktnummer IRG8CH IRG8CH106K10F Einzelheiten PDF [English] IRG8CH106K10F PDF - EN.pdf -
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