IRFI4227PBF
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IRFI4227PBF |
---|---|
Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $3.18 |
10+ | $2.852 |
100+ | $2.337 |
500+ | $1.9895 |
1000+ | $1.6779 |
2000+ | $1.594 |
5000+ | $1.534 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB Full-Pak |
Serie | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 17A, 10V |
Verlustleistung (max) | 46W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4600 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 26A (Tc) |
Grundproduktnummer | IRFI4227 |
IRFI4227PBF Einzelheiten PDF [English] | IRFI4227PBF PDF - EN.pdf |
IRFI4212H-117 IR
MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
MOSFET N-CH 100V 72A TO220AB FP
IR TO-220
IRFI4229-107PBF IR
MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP
HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFI4321 IR
IRFI4229-121PBF IR
IRFI4065PBF IR
IRFI4024H-117PBF IR
IRFI4410Z IR
IRFI4229 IR
IRFI4110G IR
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
IRFI4227 IR
MOSFET N-CH 100V 11A TO220-5
IRFI4229 - 12V-300V N-CHANNEL PO
IRFI4410ZG IR
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IRFI4227PBFInfineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|