IPB070N06L G
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPB070N06L G |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 150µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 80A, 10V |
Verlustleistung (max) | 214W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4300 pF @ 30 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 126 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPB070N |
IPB070N06L G Einzelheiten PDF [English] | IPB070N06L G PDF - EN.pdf |
IPB072N15N3 G Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 100A TO263-3
IPB072N15N3 INFINEON
IPB070N06LG VB
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
IPB072N15N3G INFINEO
INF TO-263
INFINEON TO-263
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
IPB06N03LAG INFINEON
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
IPB06N03LBG Infineon
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
IPB070N06NG VB
INFINEON SOT252
IPB06N03L INFINEON
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
INFINEON TO-263
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPB070N06L GInfineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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