HGT1S20N60A4S9A
Fairchild/ON Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | HGT1S20N60A4S9A |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | IGBT 600V 70A 290W TO263AB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 20A |
Testbedingung | 390V, 20A, 3 Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 15ns/73ns |
Schaltenergie | 105µJ (on), 150µJ (off) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263AB |
Serie | - |
Leistung - max | 290W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | - |
Gate-Ladung | 142nC |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 280A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 70A |
HGT1S20N60A4S9A Einzelheiten PDF [English] | HGT1S20N60A4S9A PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() HGT1S20N60A4S9AFairchild/ON Semiconductor |
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